2H MoTe2 （α相MoTe2）是一种半导体和抗磁性体系，间接带隙为～1.2 eV。单晶2H-MoTe2具有直接带隙，带隙与层数成反比。它是一种直接带隙材料，仅适用于单层或双层。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。MoTe2属于第六族过渡金属二硫族化合物（TMDC）。在HQ石墨烯中制备的α-MoTe2晶体具有典型的横向尺寸为～0.6-0.8 cm，呈六边形，具有金属外观。2H MoTe2是一种n型半导体，在室温下典型载流子密度为～1017cm-3。

1T'-MoTe2是一种顺磁性的Weyl半金属。β相MoTe2中的层通过范德华相互作用堆叠在一起，可以剥离成薄的二维层。β-MoTe2属于第六族过渡金属二硫族化合物（TMDC）。在HQ石墨烯中制备的1T′相MoTe2晶体具有典型的横向尺寸为～0.6-0.8 cm，矩形和金属外观。

技术参数

纯度: 99.995%

尺寸:6-10 mm

颜色: 黑色

产品特点

Electrical properties：Semiconductor

Crystal structure：Hexagonal

Type：Synthetic

应用领域

在电子学领域：

场效应晶体管（FET）：由于其独特的电学性质，可用于制造高性能的场效应晶体管。例如，在下一代微型化和低功耗的电子设备中，基于碲化钼晶体的 FET 可实现更小的尺寸和更低的能耗。

集成电路：有可能成为未来集成电路中的关键组件，提高芯片的性能和集成度。

在能源领域：

太阳能电池：可用作太阳能电池的吸光层材料，增强对太阳光的吸收和转换效率。比如在高效薄膜太阳能电池中，碲化钼晶体有助于提高电池的整体性能。

电池电极材料：作为锂离子电池或钠离子电池的电极材料，表现出良好的电化学性能和循环稳定性。

在传感器领域：

光电传感器：对光具有敏感性，可用于制造高性能的光电传感器。例如，在光通信和环境监测等领域，能够准确检测光信号的变化。

气体传感器：对某些特定气体具有响应，可用于检测气体的浓度和成分。

在存储领域：

相变存储器：利用其相变特性，有望应用于新型相变存储器，实现快速的数据存储和读取。

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