GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热 点，以氮化镓(GaN)为代表的III-V族宽带隙化合物半导体材料， 内、外量子效率高，具有高发光效率、高热导率、耐高温、抗辐 射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，是目前世界上***的半 导体材料。在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非 常缓慢的速度溶解。室温下GaN的禁带宽度为3.4 eV，是优良的光电子材 料，可以实现从红外到紫外全可见光范围的光发射和红、黄、蓝 三原色具备的全光固体显示。GaN晶体一般有六方纤锌矿结构(α相)和立方闪锌矿结构(β 相)。

技术参数

外观：浅棕色粉体

粒径：0.5-3μm（SEM）

成分：GaN

纯度：92wt%（EDS）

产品特点

宽带隙：具有较宽的能带隙，使其在高温、高功率和高频等极端条件下仍能稳定工作。

高电子迁移率：电子在其中能够快速移动，有利于实现高速的电子传输。

良好的光学性能：可以发出从紫外到蓝光波段的光。

耐高温和高压：在高温和高压环境中仍能保持良好的性能。

应用

发光二极管（LED）：制造高效节能的白色 LED 灯，广泛应用于家庭、商业和工业照明。比如在大型商场的照明系统中，使用氮化镓基的 LED 灯，能够显著降低能耗。

在电子领域：

功率器件：制造高功率、高频的晶体管，如场效应晶体管（FET）。例如，在 5G 通信基站的功率放大器中，氮化镓器件能够提高信号传输效率和覆盖范围。

射频器件：用于雷达、卫星通信等射频应用。

在激光领域：

制造紫外和蓝光波段的激光二极管，应用于激光打印、光存储等。

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