(用于微型电子线路) 金蚀刻剂用于选择蚀刻金和阴，阳性光刻胶都有良好匹配性。用在膜电子产品中制作线路元件。 特点 ·蚀刻易于控制，边下蚀低，蚀刻线精细 ·室温操作 ·蚀刻速率均匀 ·价钱低廉 金蚀刻剂TFA 高纯度，低钠含量，0.2微米级过滤，用于微型电子产品，蚀刻金和镍 金蚀刻剂TFAC 用于砷化镓其他金属间化合物及半导体的选择蚀刻。 金蚀刻剂GE-8148 用于镍膜结的选择蚀刻，蚀刻速率高。 金蚀刻剂GE-8110 用镍膜结的控制速率蚀刻 金蚀刻剂GE-8111 低PH、低蚀刻速率与镍匹配性良好 金蚀刻剂TFA/GE-8148 说明 金薄膜蚀刻剂在光刻法制作微电子线路中用以选择蚀刻金。和光刻技术相结合这些蚀刻剂可在氧化铝或其他基板上的薄膜上制作精密电极和电阻图案。其纯度高钠含量低，0.2微米过滤，可用于半导体和微型电子产品。 金蚀刻剂TFA，不含氰化物，用于制作标准产品 金蚀刻剂GE-8148，不含氰化物，不浸蚀镍膜
| TFA | GE-8148 | 操作温度 | 室温 | 室温 | 通风 | 建议用通风橱 | 建议用通风橱 | 搅拌 | 搅拌可加快蚀刻速率 | 搅拌可加快蚀刻速率 | 罐 | 玻璃 | 玻璃 | 蚀刻速率，25℃ | 28 Å /秒 | 50 Å /秒 | 组成 | 液体中含KI-I2络合物 | 液体中含KI-I2络合磷酸盐化合物 | PH（20℃） |
| 8.15±0.2 | 密度（20℃） |
| 1.265±0.01 | 蚀刻能力（g/加仑） | 100 | 100 | 光刻胶相匹配性 | 阴，阳光刻胶 | 阴，阳光刻胶 | 冲洗 | 蒸溜水，去离子水 | 蒸溜水，去离子水 | 废液处理 | 按国家有关规定处理 |
杂质最大含量 | (ppm) | 钠（Na） | 40 | 氯和溴（CL） | 100 | 铅(Pb) | 5 | 铁(Fe) | 3 | 硫(作为硫酸盐) | 50 | 磷(作为磷酸盐) | 10 |
金蚀刻剂TFAC (用于金属间化合物基板) 说明 金蚀刻剂TFAC是用于在砷化镓、磷化镓以及其他金属间化合物基板上制作微型电子线路的选择性蚀刻剂。金蚀刻剂蚀刻线条精细，边下蚀低。这些氰化物蚀刻剂蚀刻速率均匀，金蚀刻剂TFAC从铜、黄铜、青铜、镍和其他有色金属上（银除外）刻蚀金。 性质 操作温度 | 室温 | 通风 | 通风橱 | 搅拌 | 搅拌加快蚀刻速率 | 罐材 | 聚丙烯 | 蚀刻速率，25℃ | 5-10 Å /秒 | 蚀刻速率，60℃ | 30 Å /秒 | 组成 | 含氰化物粉。使用前用水稀释(8盎司/加仑) | 蚀刻能力，60℃ | 65×10-6英寸/2分 | 冲洗 | 水 | 处理 | 见下面 |
应用 将水加热于50℃以帮助溶解。在每加仑去离子水中加8盎司金蚀刻剂TFAC粉，蚀刻导体图案去除金膜，蚀刻时间长短依膜厚度而定，保存蚀刻废液回收其中的金。 废液处理：分离溶液。氰化物小心按照国家和地方有关规定处理。 金蚀刻剂GE-8110和GE-8111 MEC GE-8110和GE-8111金蚀刻剂是专门设计在制作半导体装置和薄膜微型电子器件时用于蚀刻金膜的蚀刻溶液。这种溶液由碘化钾和碘（KI/I2）制成，不含有氰化物。它们与阴，阳性光刻胶都有良好匹配性。可蚀刻可控制的精细线条。 GE-8110用缓冲液控制在PH8.0，而GE-8111含低量固体，呈中等酸性，它是一种作用较缓慢的蚀刻溶液。此两种蚀刻剂应在通风区进行室温操作。 物理和化学性质 外观与气味：两者为带有碘蒸汽气味的褐色液体
| GE-8110 | GE-8111 | PH | 7.9±0.1 | 2.5±0.1 | 密度（20℃） | 1.33±0.01 | 1.15±0.01 |
试剂级化学品 杂质 | PPM（最大） | 最大杂质含量PPM |
| 钠(Na) | 40 | 氯和溴化物（Cl） | 100 | 铅(Pb) | 5 | 铁(Fe) | 3 | 硫(作为硫酸盐) | 50 | 磷(作为磷酸盐) | 10 |
贮存与处理 在室温下避开阳光存放，当不使用时，容器要密封。碘蒸汽可使眼睛严重感染炎症，要在通风处打开瓶盖。万一触及眼睛和皮肤时，要用大量清水冲洗（对皮肤可用肥皂水冲洗），如果炎症持续不退，可延医诊治。 包装 1夸脱装和1加仑装 | 
