(用于超净表面) 从半导体表面洗除外来物质和污染物。 特性 · 通过表面清洗稳定半导体装置 · 可以克服表面污染物引起的柔逆特性 · p-n结效率高 · 用于硅热氧化和扩散之前p-n结蚀刻之后的最终清洗过程
100是设计用于半导体工业提高p-n结装置的质量、效率和可靠性的一种新型化学产品。尤其适用于晶体管、二极管、检波器和集成电路。Transene-100用于清洗出洁净表面,从而保证半导体装置的表面的稳定性。 的性质 沸点范围 | 75-101℃ | 比重 | 0.75 | 重金属 | <0.35ppm | 颗粒物质 | 无 | 酸性 | 中性 | 闪点 | 70-75℉ | 接触性危害 | 可引起轻微炎症,无危险。 | MAC | 400ppm | 火灾危险 | 当暴露于火焰时 | 通风控制 | 正常通风速率、**使用通风橱 | 自燃性 | 否 | 毒性危害 | 具有系统麻醉性 |
是如何起作用的 的主要功能是洗除半导体表面存在的外来物质,这些外来物质可以是松弛的粘附在半导体上的外来物质,也可以是其所吸收的电解质或沉积金属。这些外来物质是为水、酒精、丙酮及其他溶剂所不能有效去除,甚或一点也不能去除的。而Transene-100则能有效破坏造成外来物质牢固粘附的范德华力(van der Waals forces)。Transene-100还能有效去除吸收在半导体表面内的外来物。一般说来,使用Transene-100可以消除绝大多数表面污染。然而此产品并不具备化学浸蚀作用,而且也没人存有以其作为化学蚀刻剂的意向。 为何要采用100 表面洁净在半导体产品生产中具有特殊重要的意义。结点处外来物质的存在可以造成局部高电压。由于齐纳隧道效应引发电流,从而导致产生高反向电流。半导体表面即便有痕迹量离子、电解质或金属杂质的存在都会使装置的电学性能产生诸如滞后、颤振和高漏泄电流等严重问题。有源装置表面上的流动性离子将会影响装置的最终可靠性,在高操作温度下尤为如此。使用Transene-100可以产生以表面稳定为特征的洁净表面。 如何使用 在蚀刻之后的使用。用100处理是完成于化学或电蚀刻之后,在烘烤、涂漆或p-n结装置包封之前。 半导体装置在蚀刻和冲洗之后,应当置入盛有其量足以覆盖此装置的Transene-100液的烧杯中,然后放在电热板上加热。再将装置温和地煮洗5分钟后,将其从烧杯中取出。将完全挥发掉,毫无残迹存留。在此方面它要比水或其他常用溶剂纯净得多。半导体在用处理之后,便可以进行烘烤、涂漆和密封了。 在氧化和扩散之前的使用。这里特地建议在硅热氧化和扩散过程之前用Transene-100进行最终清洗处理以去除表面污染物。这些污染物如果不预先洗除,就会导致氧化物钝化层针孔和错误扩散物的产生。 |